表面処理の重要性

半導体の製造過程においてウエハーの表面処理を均一に滑らかにすることはとても重要です。

半導体の材料となるシリコンインゴット。ダイヤモンドの次に硬く非常に加工が困難な材料です。その材料の表面に半導体を作り込むには単結晶インゴットから切断し、研磨(ラッピング)、研削などを経て最終的には無歪加工が実現できる化学的機械研磨すなわちCMP(Chemical Mechanical Polishing)によって原子レベルで平滑な表面に仕上げることが求められます。その研磨過程で重要な役割を持つのがラッピングキャリア。インゴットから切断された後の研磨作業になくてはならないものです。

ラップ加工とラッピングキャア

シリコンウェハは、シリコンインゴットからスライスされ、その表面は研磨で平滑にされます。研磨作業で使用されるラッピングキャリアは、中心部にウエハを装着するための孔と、外周にラップ盤で回転させる為の歯車を有する形状となっています。孔にウエハーを装着し上下の定盤で挟み込み、回転させながらのウエハーのスライス面を平滑研磨するラッピングキャリアは、狭い隙間の中でウエハを支える必要があるため、強度が高く、精度の高い平坦度が要求されます。

ラッピングキャリアの課題

半導体製造において生産性を向上するために、ラップ盤の高速回転化が進められております。また、研磨過程においては、半導体の種類により複数の厚さに対応しなければなりません。強度への対応、反りへの対応そして、保管期間による寸法変動などへの対策など様々な点を事前検討する必要があります。SUS304は、入手性も良く金属製ラッピングキャリアに適した材料ですが、経年変化による反りなどの微量な変化が起こりますので要求精度によっては加工方法を慎重に選択する必要があります。

ご提案

UPTグループが製造するフォトエッチング加工によるラッピングキャリアをご提案します。

メリット

  • 少量・多品種・短納期対応が得意なフォトエッチング加工なので、在庫保管期間を最短にすることができ、反り、変形を抑制できます。
  • 初期費用は版下代のみなので、低コストで加工が可能です。
  • 当グループでは豊富な種類の材料を常に在庫しており、理想通りの強度・低反りへの対応を材料選定から進めることができます。

エッチング加工によるラッピングキャリア

ラッピングキャリア製品概要

  • ワークサイズ: φ100mm
  • 外枠サイズ: 300mm
  • 材料:SUS304
  • 板厚:0.2mm

ポイント①

フォトエッチング

エッチング加工標準納期は1週間加工精度±10%の高品質ラッピングキャリア

高品質管理された金属箔を反り歪を最小限に加工する高い技術で生産されるラッピングキャリアは、バリなどの異物発生もなく、加工精度±10%の高精度製品の製作を実現します。短納期製作が可能で納期管理が比較的容易ですので、必要な際に必要な製品の調達が可能です。保管期間を最小減にすることで品質面の劣化を最小限に抑えます。

ポイント②

大判ラッピングキャリアにも対応

弊社では、500mm x 500mmサイズまでの加工が可能ですので、様々なサイズのラッピングキャリア製作に柔軟に対応致します。

ポイント③

必要な材料は全て揃っています

弊社では、材料種類、板厚を含め常時500種類を保持してます。例えばSUS304材を、50μmを基準に5μmステップで5種類というオーダーも可能です。そのため、要求されるラッピングキャリアの加工精度と強度の確認を複数の種類で一度にお試し頂くことが可能です。

仕様項目内容
対象金属種類エッチング可能な全ての金属(タングステン系、金、銀を除く)
対象金属板厚任意の厚みで対応可能(0.004mm~)
加工精度エッチング加工精度:<10%(金属板厚に対して)
加工方法フォトエッチング加工